SI4558DY-E3
Vishay Siliconix
半导体晶体管
mosfet 功率 30v 6A 2.4w
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| 制造商 | Vishay |
|---|---|
| 产品种类 | MOSFET 功率 |
| RoHS | 是 |
| 配置 | Dual Common Quad Drain |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.04 Ohm @ 10 V |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
| 漏极连续电流 | 6 A |
| 功率耗散 | 2400 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SO-8 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
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| 型号 | 分类 | 描述 | 制造商 |
|---|---|---|---|
| SiP2802 | 半导体半导体 | low power consumption current mode controller | Vishay Siliconix |
| 2N3819-E3 | 半导体分离式半导体 | jfet 25v 10ma | Vishay Siliconix |
| 2N4393-E3 | 半导体分离式半导体 | jfet 55v 5pa | Vishay Siliconix |
| 2N4416-E3 | 半导体分离式半导体 | jfet 30v 5ma | Vishay Siliconix |
| 2N5485-E3 | 半导体分离式半导体 | jfet 25v 2ma | Vishay Siliconix |
| 2N6661-E3 | 半导体分离式半导体 | mosfet 90v 0.9a | Vishay Siliconix |
| 2N6661-2 | 半导体分离式半导体 | mosfet 90v 0.86a 6.25w | Vishay Siliconix |
| 2N6659-E3 | 半导体晶体管 | mosfet 功率 35v 1.8 ohm | Vishay Siliconix |
| 2N6660-E3 | 半导体分离式半导体 | mosfet 60v 0.99a | Vishay Siliconix |
| 3N163-E3 | 半导体分离式半导体 | mosfet 40v 5ma 375mw | Vishay Siliconix |
